9月26日，以“中國芯，存未來”為主題的2023存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)在上海璀璨舉行!本次峰會(huì)由上海市靜安區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會(huì)指導(dǎo)，上海市北高新(集團(tuán))有限公司、英韌科技(上海)有限公司、長鷹芯存(上海)集成電路有限公司共同主辦!來自產(chǎn)、學(xué)、研各方的行業(yè)精英、專家共聚上海靜安，激蕩智慧、開拓思路，共同探討國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)。

　　會(huì)上，英韌科技宣布旗下PCIe 5.0 SSD控制器YR S900正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!這是英韌科技自2017年成立以來，量產(chǎn)的第八款主控產(chǎn)品，同時(shí)也是國內(nèi)首款實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的PCle 5.0企業(yè)級(jí)主控。英韌科技不僅是首個(gè)發(fā)布PCle 5.0主控芯片產(chǎn)品的大陸廠商，也是截至目前唯一實(shí)現(xiàn)PCle 5.0 SSD主控芯片量產(chǎn)的大陸廠商!

　　硬核實(shí)力，打造“中國芯”

　　隨著數(shù)據(jù)時(shí)代的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)正呈現(xiàn)持續(xù)增長態(tài)勢(shì)。根據(jù)IDC預(yù)測(cè)，全球新產(chǎn)生的數(shù)據(jù)總量將在2026年達(dá)到221ZB，五年年復(fù)合增長率達(dá)23.8%，而從2022年到2026年，全球新建數(shù)據(jù)中心數(shù)量年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到8.6%。數(shù)字應(yīng)用場(chǎng)景的落地離不開算力的支撐，以存儲(chǔ)主控芯片和固態(tài)硬盤為代表的相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品，承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的關(guān)鍵作用，已經(jīng)成為未來世界科技競(jìng)爭(zhēng)的必爭(zhēng)之地。在供應(yīng)鏈安全日益重要的前提下，國產(chǎn)替代進(jìn)程逐漸加速，帶動(dòng)國產(chǎn)數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD的需求上升。

　　然而，當(dāng)前SSD產(chǎn)業(yè)鏈的國際閃存市場(chǎng)幾乎被三星、英特爾、海力士等閃存顆粒原廠壟斷。為打破海外卡脖子的技術(shù)壁壘，以長江存儲(chǔ)為代表的廠商正加大研發(fā)力度，積極破局，而英韌科技作為長江存儲(chǔ)的X-tacking NAND合作伙伴，全力支持固態(tài)硬盤全國產(chǎn)化方案。

　　英韌科技作為一個(gè)純國產(chǎn)存儲(chǔ)主控品牌，自成立以來，一直致力于通過創(chuàng)新的集成電路和系統(tǒng)方案，解決大數(shù)據(jù)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)傳輸問題。經(jīng)過多年自主創(chuàng)新，英韌科技在存儲(chǔ)主控芯片領(lǐng)域已達(dá)到全球一流的技術(shù)水平和研發(fā)能力，目前已成功自研量產(chǎn)7顆SSD主控芯片，本次發(fā)布的主控產(chǎn)品YR S900是英韌科技第8顆量產(chǎn)主控。

　　PCIe 5.0 SSD產(chǎn)品的量產(chǎn)面世，意味著在企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域，英韌科技打破國際頭部廠商的技術(shù)壟斷，有效填補(bǔ)了國內(nèi)高端存儲(chǔ)主控技術(shù)空白，進(jìn)一步助力我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈逐步提升國產(chǎn)化水平、擺脫對(duì)外技術(shù)依賴、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品進(jìn)口替代、核心技術(shù)自主可控，滿足我國在新時(shí)期數(shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量大發(fā)展背景下，對(duì)于國產(chǎn)化產(chǎn)品和技術(shù)的迫切需求，為增強(qiáng)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力貢獻(xiàn)力量!

　　國產(chǎn)主控，震撼登場(chǎng)

　　據(jù)了解，本次發(fā)布的YR S900是全球首批、國內(nèi)首顆量產(chǎn)的企業(yè)級(jí)PCIe 5.0 SSD主控芯片，性能指標(biāo)對(duì)標(biāo)三星、海力士、鎧俠等國際頭部廠商產(chǎn)品，達(dá)到國際領(lǐng)先水準(zhǔn)，具備更高的傳輸速率和性能，能進(jìn)一步滿足數(shù)據(jù)中心日益增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求!

　　作為一款面向未來數(shù)據(jù)中心的國產(chǎn)SSD主控芯片，YR S900采用PCIe 5.0接口，大幅提升SSD整體性能，廣泛支持市場(chǎng)主流NAND，可配置16或者18通道，高度適配長江存儲(chǔ)顆粒。此外，這顆SSD控制器是國內(nèi)首顆采用開源RISC-V架構(gòu)的存儲(chǔ)控制芯片，不受出口管制的限制，保證了芯片從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造全過程的安全和可持續(xù)，實(shí)現(xiàn)真正IP安全、自主可控。

　　YR S900支持最新的NVMe 2.0協(xié)議，通過多核心CPU并行的命令處理方式，充分發(fā)揮PCIe 5.0的帶寬優(yōu)勢(shì)。性能上更是全面升級(jí)，順序讀取速度可高達(dá)14GB/s，順序?qū)懭胍材芘艿?2GB/s，隨機(jī)讀寫則可高達(dá)350萬IOPS、250萬IOPS，可用于包括高端計(jì)算機(jī)、企業(yè)級(jí)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心等高端存儲(chǔ)領(lǐng)域。

　　YR S900還采用英韌自研的第三代ECC糾錯(cuò)引擎，協(xié)同優(yōu)化4K LDPC編解碼及數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)，并結(jié)合一種新型的混合自適應(yīng)糾錯(cuò)方案，為最新的TLC和QLC NAND提供更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力和更短的數(shù)據(jù)處理延遲。配合KIOXIA XL-FLASH，實(shí)測(cè)4K隨機(jī)讀延時(shí)可低至10us，不僅有力提升了SSD的穩(wěn)定性，還延長了使用壽命，提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量。

　　在功能上，S900還支持FDP (Flexible Data Placement)、SR-IOV硬件虛擬化技術(shù)、CMB等全新特性;FDP功能的引入，有助于更靈活地寫入數(shù)據(jù)、提升穩(wěn)態(tài)隨機(jī)寫性能，并有效降低了寫放大，在特定應(yīng)用中WAF甚至可接近1，與典型服務(wù)器SSD的3~4 WAF相比帶來了重大改進(jìn)。此外，S900支持還多種數(shù)據(jù)加密、用戶認(rèn)證等算法，以及先進(jìn)的密鑰管理設(shè)計(jì)，完全適配由分布式管理任務(wù)組(DMTF)發(fā)布的安全協(xié)議和數(shù)據(jù)模塊(SPDM)中要求的認(rèn)證和密鑰管理標(biāo)準(zhǔn)，為用戶提供更加高效和安全的硬盤和數(shù)據(jù)管理接口!

　　隨著大數(shù)據(jù)、大模型等尖端技術(shù)的興起，以及產(chǎn)業(yè)鏈安全可控等監(jiān)管動(dòng)向的信號(hào)傳遞，英韌科技依靠自研核心技術(shù)開發(fā)的PCIe 5.0 SSD產(chǎn)品，在超快并行計(jì)算能力、加密安全存儲(chǔ)、超低延時(shí)、超低功耗等各項(xiàng)性能指標(biāo)上均已達(dá)到國際先進(jìn)水平，在國內(nèi)企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)解決了技術(shù)瓶頸、滿足產(chǎn)品需求，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)控制核心關(guān)鍵技術(shù)的自主可控和自立自強(qiáng)。

　　立足世界，放眼全球!一直以來，英韌科技將以“創(chuàng)新、堅(jiān)韌”為核心驅(qū)動(dòng)力，持續(xù)深耕高端存儲(chǔ)主控芯片，積極布局PCIe 5.0 企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)，攻克了多項(xiàng)技術(shù)壁壘。接下來，英韌科技會(huì)以創(chuàng)新為導(dǎo)向，以產(chǎn)品為基礎(chǔ)，憑借強(qiáng)大的軟硬件研發(fā)能力，為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)用戶提供高效、安全、低耗的存儲(chǔ)解決方案，共同打造PCIe 5.0生態(tài)，朝著做存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的頂尖者方向加速邁進(jìn)!